Die im Umfeld der Halbleiterindustrie entstandene FLA (Flash Lamp Annealing) hat sich in den letzten Jahren eine breite Palette an weiteren Anwendungsfeldern erschlossen, u.a.:

dünne Halbleiterschichten, z.B. für Sensoren und Photovoltaik
transparente Oxide, z.B. Indium-Zinn-Oxid
Energiematerialien, z.B. für Batterietechnik
gedruckte Elektronik
FLA-unterstützte Abscheidung, z.B. flash-ALD oder Sputter-FLA.

Je nach Anwendung variiert dabei die Energiedichte (Intensität), die Pulslänge, die Wiederholrate, die Temperatmosphäre (Luft, Inertgas, Vakuum etc.), die Lampenanordnung und das Handling. Abb. 1 zeigt elektrische Leistungsparameter für typische FLA Anwendungen.

performance parameters for various FLA applications
Fig.1 Electrical performance parameters for various FLA applications (according to T. Gebel et al., 10th Int. Conf. On Coatings on Glass and Plastics, S4-05 (2014))

Beim Handling kann man zwischen R2R (Rolle-zu-Rolle) und S2S (sheet-to-sheet) Anwendungen unterscheiden, wobei im letzteren Fall das Substrat meist im Ganzen mit Hilfe eines Lampenfeldes ausgeheilt wird. Die folgende Tabelle zeigt einen kurzen Vergleich zwischen beiden Methoden:

 S2SR2R
Energiedichte pro Pulsmittel / hochgering
Pulslängems-Bereich< 1 ms
Blitzfrequenzniedrigmittel / hoch
LampenLampenfeld1 oder 2 Lampen
bestrahlte Flächeganzes Substratstreifenförmiges Gebiet
typische AnwendungenHalbleiterindustrie

dünne Halbleiterschichten
transparente Oxide
gedruckte Elektronik Energiematerialien

dünne Halbleiterschichten
transparente Oxide