Ultrakurzzeitprozessierung für die Entwicklung fortschrittlicher SiGe-HBTs

SiGe Heterobipolartransistoren (SiGe-HBTs) zählen zu den Schlüsselkomponenten fortschrittlicher Si-Hochfrequenztechnologien. Die SiGe-HBTs konnten in den letzten 20 Jahren kontinuierlich ihr Frequenzperformanz steigern und zählen mit Grenzfrequenzen von über 0,7 THz immer noch zu den Weltrekordhaltern in der Si-Welt. Im Vortrag werden die Entwicklungen dieser Bauelemente dargestellt und einige der besonderen Prozessanforderungen beleuchtet. Hierbei sind die Ausheilungsprozesse zur Dotandenaktivierung von spezieller Bedeutung. Entwicklungsschritte für einen 8“ Flash-Anneal Prozess und deren Einfluss auf die Gesamtperformanz des SiGe HBTs werde vorgestellt.