Die im Umfeld der Halbleiterindustrie entstandene FLA (Flash Lamp Annealing) hat sich in den letzten Jahren eine breite Palette an weiteren Anwendungsfeldern erschlossen, u.a.:
  • dünne Halbleiterschichten, z.B. für Sensoren und Photovoltaik
  • transparente Oxide, z.B. Indium-Zinn-Oxid
  • Energiematerialien, z.B. für Batterietechnik
  • gedruckte Elektronik
  • FLA-unterstützte Abscheidung, z.B. flash-ALD oder Sputter-FLA
Je nach Anwendung variiert dabei die Energiedichte (Intensität), die Pulslänge, die Wiederholrate, die Temperatmosphäre (Luft, Inertgas, Vakuum etc.), die Lampenanordnung und das Handling. Abb. 1 zeigt elektrische Leistungsparameter für typische FLA Anwendungen. Beim Handling kann man zwischen R2R (Rolle-zu-Rolle) und S2S (sheet to sheet) Anwendungen unterscheiden, wobei im letzteren Fall das Substrat meist im Ganzen mit Hilfe eines Lampenfeldes ausgeheilt wird. Die folgende Tabelle zeigt einen kurzen Vergleich zwischen beiden Methoden:
 
 S2SR2R
Energiedichte pro Pulsmittel / hochgering
Pulslängems-Bereich< 1 ms
Blitzfrequenzniedrigmittel / hoch
LampenLampenfeld1 oder 2 Lampen
bestrahlte Flächeganzes Substratstreifenförmiges Gebiet
typische AnwendungenHalbleiterindustrie

dünne Halbleiterschichten
transparente Oxide
gedruckte Elektronik Energiematerialien

dünne Halbleiterschichten
transparente Oxide
Elektrische Leistungsparameter für FLA Anwendungen
Abb.1 Elektrische Leistungsparameter für verschiedene FLA Anwendungen (nach T. Gebel et al., 10th Int. Conf. on Coatings on Glass and Plastics, S4-05 (2014))